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碳酸锂价格跌破50万元大关 促进动力电池、储能等生产成本降低******

　　记者 李春莲

　　见习记者 彭衍菘

　　1月9日，电池级碳酸锂价格跌破50万元大关，较11月上旬的最高点跌去了约22.83%。

　　据上海钢联发布的数据显示，1月9日部分锂电材料报价下跌，电池级碳酸锂下跌1万元/吨，均价报49.25万元/吨，工业级碳酸锂下跌1万元/吨，均价报46万元/吨；氢氧化锂下跌7500元/吨至9000元/吨。

　　业内人士认为，未来碳酸锂供需格局或仍处于紧平衡状态，碳酸锂价格下调还未结束，2023年碳酸锂价格将回归到更合理区间，这为产业中下游带来巨大的成长空间，储能、整车厂、新能源车等行业有望加速发展，产业格局将更加健康。

　　价格下跌激发需求

　　事实上，从2022年11月下旬开始，碳酸锂价格就开始呈连续下跌趋势。

　　“碳酸锂价格多日下跌主要是受到新能源汽车补贴退坡等需求面因素的影响，反映市场短期对终端需求减弱的担忧。”川财证券首席经济学家陈雳在接受《证券日报》记者采访时表示。

　　上海钢联新能源事业部锂业分析师曲音飞对《证券日报》表示，“终端减产导致场内情绪发生转变，贸易商清仓低价出货，需求回落也致使企业厂对厂交易博弈明显，下游高价采买情绪极弱，场内交易冷清，冶炼厂出货价格同步下调，加之下游中小企业也存抛货行为，场内现货资源增多，供需差拉大导致价格持续走跌。”

　　具体从新能源汽车产业的角度来看，碳酸锂价格的回调和供给需求的调整密不可分。盘古智库高级研究员江瀚在接受《证券日报》记者采访时表示，“目前的市场需求没有预期那么好，新能源汽车补贴的结束将对2023年一季度的整体需求有一定的削弱作用，这使得下游的车企和动力电池厂商在原材料采购上更加谨慎，从而导致市场的回调。”

　　不过，随着碳酸锂价格的下降，新能源汽车产业链中下游的成本不断降低，有望迎来机遇。

　　陈雳分析，碳酸锂价格下跌，叠加正极加工费、负极和电解液等核心材料价格下行趋势明确，意味着未来行业成本将显著下降，企业盈利边际改善，价格上有更大自主空间，有望刺激新能源车需求恢复，储能需求或将进一步爆发，锂电板块的中长期成长性较高。

　　江瀚认为，成本的降低会增强新能源汽车企业和动力电池企业的自身竞争力，中下游更多的产业机会开始显现，有助于整个行业更好的发展。

　　北京特亿阳光新能源科技有限公司总裁祁海珅同意这一判断。他认为，碳酸锂价格下跌对于新能源汽车行业的整体健康度和可持续性发展是有利的。“锂价适当的下跌有利于新兴电力系统的构建，有利于储能项目市场需求的激发。”

　　对价格走势判断不一

　　曲音飞认为，2023年碳酸锂价格主要趋势仍以看跌为主，但中间不排除有回调机会。陈雳则表示，在下游需求的支撑下，碳酸锂价格下跌幅度有限。

　　江瀚认为，碳酸锂价格未来还会有一定的下跌，但其维持在一个区间内盘整的可能性较大。“伴随着整体市场需求和供给的逐渐回暖，同时也包括盐湖提锂技术的不断完善，2023年的磷酸铁锂的供需不会显著失衡。”

　　1月6日，丰元股份在投资者互动平台公开表示，公司全资子公司山东丰元锂能科技有限公司拟在玉溪市投资建设规模为20万吨锂电池高能正极材料及配套相关项目，目前正在建设中的为一期项目：年产5万吨磷酸铁锂正极材料及1000吨黏土提锂中试线，后续项目根据一期项目建设的实际情况积极推进。

　　国轩高科近日表示，宜丰国轩锂业有限公司年产5万吨碳酸锂项目一期(年产2.5万吨)预计2023年4月投产。同时，与其配套的年处理300万吨瓷土矿(含锂)选矿厂同步在厂房施工，预计2023年5月投产。

　　华西证券预计，2月份新能源汽车产业链的生产经营将逐步恢复正常，下游需求有望好转，锂盐价格大概率逐步企稳。

多光子非线性量子干涉首次实现 为新型量子态制备等应用奠定基础******

　　科技日报合肥1月16日电 (记者吴长锋)记者16日从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队任希锋研究组与国外同行合作，基于光量子集成芯片，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的干涉。相关成果日前发表在光学权威学术期刊《光学》上。

　　量子干涉是众多量子应用的基础，特别是近年来基于路径不可区分性产生的非线性干涉过程越来越引起人们的关注。尽管双光子非线性干涉过程已经实现了20多年，并且在许多新兴量子技术中得到应用，直到2017年，人们才在理论上将该现象扩展到多光子过程，但实验上由于需要极高的相位稳定性和路径重合性，一直未获得新进展。光量子集成芯片，以其极高的相位稳定性和可重构性逐渐发展成为展示新型量子应用、开发新型量子器件的理想平台，也为多光子非线性干涉研究提供了实现的可能性。

　　任希锋研究组长期致力于硅基光量子集成芯片开发及相关应用研究并取得系列重要进展。在前工作基础上，研究组通过进一步将多光子量子光源模块、滤波模块和延时模块等结构片上级联，在国际上首次展示了四光子非线性产生过程的相干相长、相消过程，其四光子干涉可见度为0.78。而双光子符合并未观测到随相位的明显变化，这同理论预期一致。整个实验在一个尺寸仅为3.8×0.8平方毫米的硅基集成光子芯片上完成。

　　这一成果成功地将两光子非线性干涉过程扩展到多光子过程，为新型量子态制备、远程量子计量以及新的非局域多光子干涉效应观测等应用奠定了基础。审稿人一致认为这是一个重要的研究工作，并给出了高度评价：该芯片设计精良，包含多种集成光学元件，如纠缠光子源、干涉仪、频率滤波器/组合器；这项工作推动了集成光子量子信息科学与技术研究领域的发展。

　　（文图：赵筱尘 巫邓炎）